国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“CIS器件及其制作方法”的专利，公开号CN121968752A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明涉及一种CIS器件及其制作方法。所述CIS器件包括堆叠基板结构，堆叠基板结构垂向上包括相互键合的第一像素基板和第二像素基板、且横向上非重叠分布有至少一个可见光像素单元和至少一个红外光像素单元，可见光像素单元包括形成于第一像素基板中的可见光感测元件，红外光像素单元包括形成于第二像素基板中的红外光感测元件，可见光感测元件和红外光感测元件分别用于感测从第一像素基板远离第二像素基板一侧入射的可见光和红外光，相较于可见光像素单元，红外光像素单元的入射光信号被检测前要经过更长的光程，使得红外响应能力增强，同时可见光像素单元的入射光信号被检测前光程较短，耗尽层深度较小，使得相邻像素单元之间的串扰风险小。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线索方面有商标信息69条，专利信息1851条，此外企业还拥有行政许可109个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
睿迎网提示：文章来自网络，不代表本站观点。
